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a29t三极管参数
12-30
A29T基本参数:VDS=30V,ID=5.8A,RDS(ON)<28mΩ@VGS=10V。a29t是N沟道MOS场效应三极管,采用先进的沟槽技术,高密度、低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置,最大功率1.4W。a29t三极管主要参数:漏源电压(VDS):30V...
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